STMicroelectronics presenta MOSFET de umbral estándar de 40V con tecnología mejorada de stripfet f8

STMicroelectronics ha lanzado una nueva serie de MOSFET de 40V StripFet F8 con voltaje de umbral estándar (VGS (TH)), que combina las ventajas de la tecnología mejorada de compras de la zanja con una excelente inmunidad de ruido.Estos dispositivos están diseñados para aplicaciones donde se requiere control de nivel no lógico.

Los transistores STL300N4F8 de grado industrial y STL305N4F8AG de grado automotriz cuentan con una calificación de corriente de drenaje de más de 300A y un RDS máximo (ON) ultra bajo de 1MΩ, lo que ofrece una eficiencia excepcional en aplicaciones de alta potencia.Con un rendimiento dinámico mejorado, una carga de puerta total típica (QG) de 65 nc y baja capacitancia (CISS, CRSS), estos MOSFET minimizan las pérdidas de energía incluso a altas frecuencias de conmutación.Además, los diodos de su cuerpo ofrecen un bajo voltaje directo y características rápidas de recuperación inversa, mejorando la eficiencia y confiabilidad del sistema.

Esta nueva serie permite a los diseñadores aprovechar la tecnología Avanzada StripFet F8 de ST para suministros, convertidores y unidades de motor en dispositivos como herramientas eléctricas inalámbricas y equipos industriales.Estos MOSFET mejoran la eficiencia energética para extender la duración de la batería, reducir la disipación de energía y admitir la salida continua de alta potencia con una gestión térmica simplificada, ahorrar espacio de PCB y reducir los costos de la licuación.Los dispositivos de grado automotriz están dirigidos a unidades de motor del vehículo y convertidores DC/DC, incluidos los sistemas de electrónica de cuerpo, chasis y tren motriz.Las aplicaciones específicas incluyen levantadores de ventanas, ajustadores de asientos, actuadores de techo solar, ventiladores, sopladores, dirección asistida eléctrica, suspensión activa y sistemas de control de emisiones.

La tecnología StripFet F8 garantiza una alta robustez del dispositivo y un área de operación segura extendida (SOA), lo que permite que los MOSFET manejen condiciones de alta potencia y soporten reducciones significativas de VDS causadas por cargas pesadas.Además, una temperatura de unión máxima de 175 ° C hace que estos dispositivos sean adecuados para entornos de operación extrema.

Esta tecnología también reduce el tamaño de la matriz, reduce los RD (encendido) y mejora la rentabilidad mientras se mantiene el embalaje compacto.Ambos dispositivos vienen en paquetes Powerflat 5x6 que ahorran espacio, con versiones de grado automotriz que ofrecen paquetes de flanco humectables para cumplir con los estándares de la industria automotriz.