| TSM80N1R2CP ROG | |
|---|---|
| Número de pieza | TSM80N1R2CP ROG |
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Descripción | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 |
| cantidad disponible | 2511 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | TSM80N1R2CP ROG.pdf |
| TSM80N1R2CP ROG Price |
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| Información técnica de TSM80N1R2CP ROG | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | TSM80N1R2CP ROG | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | TSC (Taiwan Semiconductor) | Descripción | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 |
| Paquete / caja | Cut Tape (CT) | cantidad disponible | 2511 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 110W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | TSM80N1R2CP ROGCT TSM80N1R2CP ROGCT-ND TSM80N1R2CPROGCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 30 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 19.4nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Descripción detallada | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) | ||
| Descargar | TSM80N1R2CP ROG PDF - EN.pdf | ||
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