ZXMN10A08DN8TA
Número de pieza ZXMN10A08DN8TA
Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
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Número de pieza del fabricante ZXMN10A08DN8TA Categoría Productos Semiconductores Discretos
Fabricante Diodes Incorporated Descripción MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Paquete / caja Tape & Reel (TR) cantidad disponible 16252 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA (Min) Paquete del dispositivo 8-SOP
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Potencia - Max 1.25W embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7.7nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A ZXMN10A08DN8TA Detalles PDF [English] ZXMN10A08DN8TA PDF - EN.pdf
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