| IRFH5210TRPBF | |
|---|---|
| Número de pieza | IRFH5210TRPBF |
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN |
| cantidad disponible | 6000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| Descargar | IRFH5210TRPBF Detalles PDF |
| IRFH5210TRPBF Price |
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| Información técnica de IRFH5210TRPBF | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IRFH5210TRPBF | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN |
| Paquete / caja | 8PQFN | cantidad disponible | 6000 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PQFN (5x6) |
| Serie | HEXFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2570pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 59nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
| IRFH5210TRPBF Detalles PDF [English] | IRFH5210TRPBF PDF - EN.pdf | ||
| Descargar | IRFH5210TRPBF Detalles PDF | ||
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| IRFH5210TRPBF Acciones | Precio IRFH5210TRPBF | IRFH5210TRPBF Electrónica | |||
| Componentes IRFH5210TRPBF | Inventario IRFH5210TRPBF | IRFH5210TRPBF Digikey | |||
| Proveedor IRFH5210TRPBF | Orden IRFH5210TRPBF en línea | Consulta IRFH5210TRPBF | |||
| Imagen IRFH5210TRPBF | IRFH5210TRPBF Picture | IRFH5210TRPBF PDF | |||
| Hoja de datos IRFH5210TRPBF | Descargar la hoja de datos de IRFH5210TRPBF | Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies) | |||
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