| IXSN80N60BD1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IXSN80N60BD1 |
| Fabricante | IXYS |
| Descripción | IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B |
| cantidad disponible | 2940 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | IXSN80N60BD1.pdf |
| IXSN80N60BD1 Price |
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| Información técnica de IXSN80N60BD1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IXSN80N60BD1 | Categoría | |
| Fabricante | IXYS / Littelfuse | Descripción | IGBT MOD 600V 160A 420W SOT227B |
| Paquete / caja | SOT-227B | cantidad disponible | 2940 pcs |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 600 V | Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 80A |
| Paquete del dispositivo | SOT-227B | Serie | - |
| Potencia - Max | 420 W | Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| termistor NTC | No | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce | 6.6 nF @ 25 V | Entrada | Standard |
| Tipo de IGBT | - | Corriente - corte del colector (Max) | 200 µA |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 160 A | Configuración | Single |
| Número de producto base | IXSN80 | ||
| Descargar | IXSN80N60BD1 PDF - EN.pdf | ||
Modelo de Producto
IXSN80N60BD1
Introducción
Módulo IGBT de alta potencia diseñado para aplicaciones de energía.
Marca y Fabricante
IXYS Corporation
Características
Capacidad de corriente elevada de 160A, voltaje de ruptura colector-emisor de 600V, máxima disipación de potencia de 420W, entrada estándar para activar el gate.
Rendimiento del Producto
Bajo voltaje de saturación colector-emisor Vce(on) de 2.5V, capaz de operar a temperaturas de -55°C a 150°C (TJ).
Especificaciones Técnicas
Módulo IGBT discreto de semiconductores, configurado como un solo transistor.
Dimensiones, Forma y Empaque
Paquete SOT-227-4, miniBLOC, montaje en chasis con dispositivo proveedor de paquete SOT-227B, enviado en el empaque del fabricante.
Calidad y Fiabilidad
Alta fiabilidad para aplicaciones en circuitos de potencia, opera eficazmente en un amplio rango de temperaturas.
Ventajas del Producto
Alto voltaje de ruptura para mejorar el aislamiento eléctrico, capacidades eficientes de manejo de potencia.
Competitividad del Producto
Competitivo dentro de los módulos IGBT diseñados para aplicaciones de potencia similares.
Compatibilidad
Entrada estándar adecuada para circuitos de activación de gate típicos.
Certificación y Cumplimiento Estándar
Sin plomo / Cumple con RoHS.
Duración y Sostenibilidad
Diseñado para soportar condiciones operativas sostenidas.
Campos de Aplicación Real
Sistemas de gestión de energía, inversores, convertidores y controladores de motores.
Envíenos un correo electrónico: Info@Ariat-Tech.com o RFQ IXSN80N60BD1 en línea.
| IXSN80N60BD1 Acciones | Precio IXSN80N60BD1 | IXSN80N60BD1 Electrónica | |||
| Componentes IXSN80N60BD1 | Inventario IXSN80N60BD1 | IXSN80N60BD1 Digikey | |||
| Proveedor IXSN80N60BD1 | Orden IXSN80N60BD1 en línea | Consulta IXSN80N60BD1 | |||
| Imagen IXSN80N60BD1 | IXSN80N60BD1 Picture | IXSN80N60BD1 PDF | |||
| Hoja de datos IXSN80N60BD1 | Descargar la hoja de datos de IXSN80N60BD1 | Fabricante IXYS / Littelfuse | |||
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