| IXTA1N200P3HV | |
|---|---|
| Número de pieza | IXTA1N200P3HV |
| Fabricante | IXYS |
| Descripción | MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 |
| cantidad disponible | 3555 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | IXTA1N200P3HV.pdf |
| Descargar | IXTA1N200P3HV Detalles PDF |
| IXTA1N200P3HV Price |
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| Información técnica de IXTA1N200P3HV | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IXTA1N200P3HV | Categoría | |
| Fabricante | IXYS / Littelfuse | Descripción | MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 |
| Paquete / caja | TO-263AA | cantidad disponible | 3555 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-263AA |
| Serie | Polar P3™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 125W (Tc) | Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 646 pF @ 25 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 23.5 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 2000 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
| Número de producto base | IXTA1 | IXTA1N200P3HV Detalles PDF [English] | IXTA1N200P3HV PDF - EN.pdf |
| Descargar | IXTA1N200P3HV Detalles PDF | ||
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| IXTA1N200P3HV Acciones | Precio IXTA1N200P3HV | IXTA1N200P3HV Electrónica | |||
| Componentes IXTA1N200P3HV | Inventario IXTA1N200P3HV | IXTA1N200P3HV Digikey | |||
| Proveedor IXTA1N200P3HV | Orden IXTA1N200P3HV en línea | Consulta IXTA1N200P3HV | |||
| Imagen IXTA1N200P3HV | IXTA1N200P3HV Picture | IXTA1N200P3HV PDF | |||
| Hoja de datos IXTA1N200P3HV | Descargar la hoja de datos de IXTA1N200P3HV | Fabricante IXYS / Littelfuse | |||
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