IXFN32N80P | |
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Número de pieza | IXFN32N80P |
Fabricante | IXYS Corporation |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B |
cantidad disponible | 2789 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | |
IXFN32N80P Price |
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Información técnica de IXFN32N80P | |||
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Número de pieza del fabricante | IXFN32N80P | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
Fabricante | IXYS Corporation | Descripción | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B |
Paquete / caja | Tube | cantidad disponible | 2789 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 8mA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo | SOT-227B | Serie | PolarHV™ |
RDS (Max) @Id, Vgs | 270 mOhm @ 16A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 625W (Tc) |
embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8820pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 800V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 29A |
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