EMD12T2R
Número de pieza EMD12T2R
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
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Información técnica de EMD12T2R
Número de pieza del fabricante EMD12T2R Categoría Productos Semiconductores Discretos
Fabricante LAPIS Semiconductor Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Paquete / caja Tape & Reel (TR) cantidad disponible 24000 pcs
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Paquete del dispositivo EMT6
Serie - Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) 47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 47k Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje Surface Mount Frecuencia - Transición 250MHz
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA EMD12T2R Detalles PDF [English] EMD12T2R PDF - EN.pdf
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