APT11F80B
Número de pieza APT11F80B
Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
cantidad disponible 2557 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de APT11F80B
Número de pieza del fabricante APT11F80B Categoría Productos Semiconductores Discretos
Fabricante Microsemi Descripción MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Paquete / caja Tube cantidad disponible 2557 pcs
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-247 [B] Serie POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs 900 mOhm @ 6A, 10V La disipación de energía (máximo) 337W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-247-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2471pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 80nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
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