APT11N80KC3G
Número de pieza APT11N80KC3G
Fabricante Microsemi
Descripción MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
cantidad disponible 2631 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de APT11N80KC3G
Número de pieza del fabricante APT11N80KC3G Categoría Productos Semiconductores Discretos
Fabricante Microsemi Descripción MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
Paquete / caja Tube cantidad disponible 2631 pcs
VGS (th) (Max) @Id 3.9V @ 680µA Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220 [K] Serie CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V La disipación de energía (máximo) 156W (Tc)
embalaje Tube Paquete / Cubierta TO-220-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
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