| APTM120DSK57T3G | |
|---|---|
| Número de pieza | APTM120DSK57T3G |
| Fabricante | Microsemi |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
| cantidad disponible | 2576 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | APTM120DSK57T3G.pdf |
| APTM120DSK57T3G Price |
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| Información técnica de APTM120DSK57T3G | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | APTM120DSK57T3G | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Microsemi | Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
| Paquete / caja | Bulk | cantidad disponible | 2576 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 2.5mA | Paquete del dispositivo | SP3 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 684 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Potencia - Max | 390W | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP3 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 187nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 17A | ||
| Descargar | APTM120DSK57T3G PDF - EN.pdf | ||
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