| PSMN012-60YS,115 | |
|---|---|
| Número de pieza | PSMN012-60YS,115 |
| Fabricante | Nexperia |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK |
| cantidad disponible | 6500 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| PSMN012-60YS,115 Price |
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| Información técnica de PSMN012-60YS,115 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | PSMN012-60YS,115 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Nexperia | Descripción | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK |
| Paquete / caja | SOT-669 | cantidad disponible | 6500 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 15A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 89W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SC-100, SOT-669 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1685pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 28.4nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
| Descargar | PSMN012-60YS,115 PDF - EN.pdf | ||
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| PSMN012-60YS,115 Acciones | Precio PSMN012-60YS,115 | PSMN012-60YS,115 Electrónica | |||
| Componentes PSMN012-60YS,115 | Inventario PSMN012-60YS,115 | PSMN012-60YS,115 Digikey | |||
| Proveedor PSMN012-60YS,115 | Orden PSMN012-60YS,115 en línea | Consulta PSMN012-60YS,115 | |||
| Imagen PSMN012-60YS,115 | PSMN012-60YS,115 Picture | PSMN012-60YS,115 PDF | |||
| Hoja de datos PSMN012-60YS,115 | Descargar la hoja de datos de PSMN012-60YS,115 | Fabricante Nexperia | |||
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