SSM5N15FE(TE85L,F)
Número de pieza SSM5N15FE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
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Número de pieza del fabricante SSM5N15FE(TE85L,F) Categoría Productos Semiconductores Discretos
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage Descripción MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Paquete / caja Tape & Reel (TR) cantidad disponible 84000 pcs
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 100µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo ESV
Serie π-MOSVI RDS (Max) @Id, Vgs 4 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-553 Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7.8pF @ 3V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
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