SSM5N15FE(TE85L,F) | |
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Número de pieza | SSM5N15FE(TE85L,F) |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 100MA ESV |
cantidad disponible | 84000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | |
SSM5N15FE(TE85L,F) Price |
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Información técnica de SSM5N15FE(TE85L,F) | |||
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Número de pieza del fabricante | SSM5N15FE(TE85L,F) | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Descripción | MOSFET N-CH 30V 100MA ESV |
Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 84000 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | ESV |
Serie | π-MOSVI | RDS (Max) @Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
La disipación de energía (máximo) | 150mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | SOT-553 | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Descargar | SSM5N15FE(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
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SSM5H90TU,LF | SSM5H90TU,LF TOSHIBA | TOSHIBA | |||
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