BYG10MHM3/TR3 | |
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Número de pieza | BYG10MHM3/TR3 |
Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Descripción | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A |
cantidad disponible | 2689 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | |
BYG10MHM3/TR3 Price |
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Información técnica de BYG10MHM3/TR3 | |||
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Número de pieza del fabricante | BYG10MHM3/TR3 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
Fabricante | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Descripción | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A |
Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 2689 pcs |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.15V @ 1.5A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1000V (1kV) |
Paquete del dispositivo | DO-214AC (SMA) | Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 4µs |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DO-214AC, SMA |
Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
Tipo de diodo | Avalanche | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1µA @ 1000V |
Corriente - rectificada media (Io) | 1.5A | Capacitancia Vr, F | - |
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