| SI2318DS-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI2318DS-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Descripción | MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 |
| cantidad disponible | 13000 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| Descargar | SI2318DS-T1-GE3 Detalles PDF |
| SI2318DS-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SI2318DS-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI2318DS-T1-GE3 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 |
| Paquete / caja | SOT-23-3 | cantidad disponible | 13000 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 750mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| SI2318DS-T1-GE3 Detalles PDF [English] | SI2318DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
| Descargar | SI2318DS-T1-GE3 Detalles PDF | ||
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| SI2318DS-T1-GE3 Acciones | Precio SI2318DS-T1-GE3 | SI2318DS-T1-GE3 Electrónica | |||
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