| SI4834BDY-T1-E3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SI4834BDY-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| cantidad disponible | 97757 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| Descargar | SI4834BDY-T1-E3 Detalles PDF |
| SI4834BDY-T1-E3 Price |
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| Información técnica de SI4834BDY-T1-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SI4834BDY-T1-E3 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 97757 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Potencia - Max | 1.1W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A | SI4834BDY-T1-E3 Detalles PDF [English] | SI4834BDY-T1-E3 PDF - EN.pdf |
| Descargar | SI4834BDY-T1-E3 Detalles PDF | ||
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| SI4834BDY-T1-E3 Acciones | Precio SI4834BDY-T1-E3 | SI4834BDY-T1-E3 Electrónica | |||
| Componentes SI4834BDY-T1-E3 | Inventario SI4834BDY-T1-E3 | SI4834BDY-T1-E3 Digikey | |||
| Proveedor SI4834BDY-T1-E3 | Orden SI4834BDY-T1-E3 en línea | Consulta SI4834BDY-T1-E3 | |||
| Imagen SI4834BDY-T1-E3 | SI4834BDY-T1-E3 Picture | SI4834BDY-T1-E3 PDF | |||
| Hoja de datos SI4834BDY-T1-E3 | Descargar la hoja de datos de SI4834BDY-T1-E3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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