| SQJ465EP-T1_GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SQJ465EP-T1_GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 |
| cantidad disponible | 2647 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | SQJ465EP-T1_GE3.pdf |
| SQJ465EP-T1_GE3 Price |
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| Información técnica de SQJ465EP-T1_GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SQJ465EP-T1_GE3 | Categoría | |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 | cantidad disponible | 2647 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 45W (Tc) | Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 30 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Número de producto base | SQJ465 | ||
| Descargar | SQJ465EP-T1_GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SQJ465EP-T1_GE3 Acciones | Precio SQJ465EP-T1_GE3 | SQJ465EP-T1_GE3 Electrónica | |||
| Componentes SQJ465EP-T1_GE3 | Inventario SQJ465EP-T1_GE3 | SQJ465EP-T1_GE3 Digikey | |||
| Proveedor SQJ465EP-T1_GE3 | Orden SQJ465EP-T1_GE3 en línea | Consulta SQJ465EP-T1_GE3 | |||
| Imagen SQJ465EP-T1_GE3 | SQJ465EP-T1_GE3 Picture | SQJ465EP-T1_GE3 PDF | |||
| Hoja de datos SQJ465EP-T1_GE3 | Descargar la hoja de datos de SQJ465EP-T1_GE3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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