SQJ465EP-T1_GE3
Número de pieza SQJ465EP-T1_GE3
Fabricante Vishay Siliconix
Descripción MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
cantidad disponible 2647 pcs new original in stock.
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Modelo ECAD
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Información técnica de SQJ465EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante SQJ465EP-T1_GE3 Categoría Productos Semiconductores Discretos
Fabricante Vishay / Siliconix Descripción MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
Paquete / caja Tape & Reel (TR) cantidad disponible 2647 pcs
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® RDS (Max) @Id, Vgs 85 mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo) 45W (Tc) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
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