SQJ465EP-T1_GE3 | |
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Número de pieza | SQJ465EP-T1_GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descripción | MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8 |
cantidad disponible | 2647 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | |
SQJ465EP-T1_GE3 Price |
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Información técnica de SQJ465EP-T1_GE3 | |||
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Número de pieza del fabricante | SQJ465EP-T1_GE3 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8 |
Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 2647 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 45W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 30V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 40nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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