| SUP85N10-10-E3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SUP85N10-10-E3 |
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| cantidad disponible | 10790 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | |
| SUP85N10-10-E3 Price |
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| Información técnica de SUP85N10-10-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SUP85N10-10-E3 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| Paquete / caja | Cut Tape (CT) | cantidad disponible | 10790 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220AB |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6550pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 160nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
| Descargar | SUP85N10-10-E3 PDF - EN.pdf | ||
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| SUP85N10-10-E3 Acciones | Precio SUP85N10-10-E3 | SUP85N10-10-E3 Electrónica | |||
| Componentes SUP85N10-10-E3 | Inventario SUP85N10-10-E3 | SUP85N10-10-E3 Digikey | |||
| Proveedor SUP85N10-10-E3 | Orden SUP85N10-10-E3 en línea | Consulta SUP85N10-10-E3 | |||
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| Hoja de datos SUP85N10-10-E3 | Descargar la hoja de datos de SUP85N10-10-E3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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