| BYV32G-200,127 | |
|---|---|
| Número de pieza | BYV32G-200,127 |
| Fabricante | WeEn Semiconductors |
| Descripción | DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK |
| cantidad disponible | 36088 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Hojas de datos | 1.BYV32G-200,127.pdf2.BYV32G-200,127.pdf3.BYV32G-200,127.pdf4.BYV32G-200,127.pdf5.BYV32G-200,127.pdf |
| BYV32G-200,127 Price |
Solicitar precio y tiempo de entrega en línea or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Información técnica de BYV32G-200,127 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | BYV32G-200,127 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | WeEn Semiconductors Co., Ltd | Descripción | DIODE ARRAY GP 200V 20A I2PAK |
| Paquete / caja | I2PAK (TO-262) | cantidad disponible | 36088 pcs |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 850 mV @ 8 A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 200 V |
| Tecnología | Standard | Paquete del dispositivo | I2PAK (TO-262) |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 25 ns | Paquete / Cubierta | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento - Junction | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje | Through Hole | configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 30 µA @ 200 V | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 20A |
| Número de producto base | BYV32 | ||
| Descargar | BYV32G-200,127 PDF - EN.pdf | ||
Envíenos un correo: Info@Ariat-Tech.com o RFQ BYV32G-200,127 Online.
| Stock de BYV32G-200,127 | Precio de BYV32G-200,127 | Electrónica BYV32G-200,127 | |||
| Componentes BYV32G-200,127 | Inventario de BYV32G-200,127 | BYV32G-200,127 DigiKey | |||
| Proveedor BYV32G-200,127 | Pedir BYV32G-200,127 en línea | Consulta sobre BYV32G-200,127 | |||
| Imagen de BYV32G-200,127 | Foto de BYV32G-200,127 | PDF de BYV32G-200,127 | |||
| Hoja de datos de BYV32G-200,127 | Descargar hoja de datos de BYV32G-200,127 | Fabricante WeEn Semiconductors Co., Ltd | |||
| Partes relacionadas para BYV32G-200,127 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
 |
BYV34-400 ,127 | NXP 2011+RoHS | NXP | ||
 |
BYV34-400,127 | DIODE RECT DL UF 400V TO220AB | NXP USA Inc. | ||
|
BYV34-400 IC | NXP TO-220 | NXP | ||
|
BYV32EB200 | NXP SOT404(D2-PAK)TO263 | NXP | ||
|
BYV32EB-200P | WEEN TO263 | NXP | ||
|
BYV34-600 | BYV34-600 NXP | NXP | ||
|
BYV34-500 | BYV34-500 NXP | NXP | ||
|
BYV34-500,127 | DIODE ARRAY 500V 20A TO220AB | NXP USA Inc. | ||
|
BYV32EX-200 | BYV32EX-200 NXP | NXP | ||
|
BYV34-400,127 | DIODE ARRAY GP 400V 20A TO220AB | WeEn Semiconductors | ||
|
BYV32G-200 | NXP TO-262 | NXP | ||
 |
BYV32EX-300PQ | DUAL ULTRAFAST POWER DIODE | WeEn Semiconductors | ||
 |
BYV32F-200 | BYV32F-200 NXP | PHILIPS | ||
 |
BYV32EB-300PJ | DUAL ULTRAFAST POWER DIODE | WeEn Semiconductors | ||
 |
BYV32EB-200PQ | DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK | WeEn Semiconductors | ||
|
BYV34-400 | BYV34-400 PHILIPS | NXP | ||
 |
BYV32EB-200,118 | DIODE ARRAY 200V 20A D2PAK | NXP USA Inc. | ||
|
BYV34-500,127 | DIODE ARRAY GP 500V 20A TO220AB | WeEn Semiconductors | ||
|
BYV34-300 | PHI | |||
|
BYV32EB-200PJ | DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK | WeEn Semiconductors | ||
Noticias
Más
El 19 de abril de 2026 (hora local), informes de los medios que citaban fuentes familiarizadas con el asunto revelaron que Google, una subsidiaria de ...
Según *The Business Times*, la línea de producción piloto CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate) de TSMC comenzó a entregar equipos a su equipo de I+D...
El 6 de abril, hora local, el gigante estadounidense de tecnología de inteligencia artificial (IA), Anthropic, anunció que había firmado un nuevo a...
El 1 de abril, Microsoft anunció que invertiría 5.500 millones de dólares en Singapur para continuar expandiendo su infraestructura de nube e intel...
Samsung Electronics será el primero en suministrar exclusivamente su HBM4 de próxima generación a OpenAI, la empresa de inteligencia artificial (IA...
nuevos productos
Más
El módulo de red integrado compacto: XT-Nano-SXL Módulo de red incrustado de alta potencia XT-Nano...
El módulo de red integrado compacto: XT-PICO-SXL Módulo de red incrustado de alta potencia XT-PICO...
Correo electrónico: Info@ariat-tech.comTEL. HK: +852 30501966Dirección: Of. 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Calle Fa Yuen, Mong Kok, Kowloon, Hong Kong.
Aviso de derechos de autor © 1996-2026 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED. Todos los derechos reservados.