| SIDR402DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SIDR402DP-T1-GE3 |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descripción | MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC |
| cantidad disponible | 2646 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | 1.SIDR402DP-T1-GE3.pdf2.SIDR402DP-T1-GE3.pdf |
| SIDR402DP-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SIDR402DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SIDR402DP-T1-GE3 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descripción | MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC |
| Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 2646 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 250µA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8DC |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | RDS (Max) @Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 | Otros nombres | SIDR402DP-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9100pF @ 20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V |
| Descripción detallada | N-Channel 40V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |
| Descargar | SIDR402DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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