| S1BLHM2G | |
|---|---|
| Número de pieza | S1BLHM2G |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
| cantidad disponible | 3927 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Hojas de datos | S1BLHM2G.pdf |
| S1BLHM2G Price |
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| Información técnica de S1BLHM2G | |||
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| Número de pieza del fabricante | S1BLHM2G | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor | Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
| Paquete / caja | Sub SMA | cantidad disponible | 3927 pcs |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.1 V @ 1 A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 100 V |
| Tecnología | Standard | Paquete del dispositivo | Sub SMA |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 1.8 µs | Estado del producto | Active |
| Paquete / Cubierta | DO-219AB | Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 5 µA @ 100 V | Corriente - rectificada media (Io) | 1A |
| Capacitancia Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz | Número de producto base | S1B |
| Descargar | S1BLHM2G PDF - EN.pdf | ||
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