Modelo de Producto

ATF-34143-TR1G

Introducción

Transistor pHEMT FET de alta frecuencia diseñado para aplicaciones RF.

Marca y Fabricante

Avago Technologies (Broadcom Limited)

Características

Baja figura de ruido, alta ganancia, rendimiento de alta frecuencia.

Rendimiento del Producto

Optimizado para una frecuencia de operación de 2GHz, clasificación de figura de ruido de 0.5dB, proporciona una ganancia de 17.5dB, entrega 20dBm de potencia de salida.

Especificaciones Técnicas

Tipo de transistor: pHEMT FET, Frecuencia: 2GHz, Ganancia: 17.5dB, Voltaje de prueba: 4V, Clasificación de corriente: 145mA, Figura de ruido: 0.5dB, Corriente de prueba: 60mA, Potencia de salida: 20dBm, Voltaje nominal: 5.5V.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete / Caja: SC-82A, SOT-343, Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-343, Empaque del fabricante: SOT-343, Empaque: cinta y bobina (TR).

Calidad y Fiabilidad

Libre de plomo / Cumple con RoHS para seguridad ambiental, construido para durabilidad en condiciones estándar.

Ventajas del Producto

Claridad de señal mejorada con una baja figura de ruido, robusta capacidad de salida de potencia.

Competitividad del Producto

Competitivo en aplicaciones RF y de alta frecuencia, bien adecuado para sistemas de comunicaciones y radar.

Compatibilidad

Diseñado para su uso en diseños de circuitos RF, interfaz compatible con el tamaño de huella SOT-343.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con RoHS.

Duración y Sostenibilidad

Duradero con una larga vida útil operativa en condiciones típicas.

Campos de Aplicación Real

Telecomunicaciones, sistemas de radar de defensa y aeroespaciales, comunicaciones por satélite, infraestructura inalámbrica.

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