| IDP08E65D1XKSA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IDP08E65D1XKSA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 |
| cantidad disponible | 41430 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Hojas de datos | 1.IDP08E65D1XKSA1.pdf2.IDP08E65D1XKSA1.pdf |
| IDP08E65D1XKSA1 Price |
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| Información técnica de IDP08E65D1XKSA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IDP08E65D1XKSA1 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 |
| Paquete / caja | TO-220-2 | cantidad disponible | 41430 pcs |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7 V @ 8 A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650 V |
| Tecnología | Standard | Paquete del dispositivo | TO-220-2 |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 80 ns | Paquete / Cubierta | TO-220-2 |
| Paquete | Tube | Temperatura de funcionamiento - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole | Corriente - Fuga inversa a Vr | 40 µA @ 650 V |
| Corriente - rectificada media (Io) | 8A | Capacitancia Vr, F | - |
| Número de producto base | IDP08E65 | ||
| Descargar | IDP08E65D1XKSA1 PDF - EN.pdf | ||
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| Stock de IDP08E65D1XKSA1 | Precio de IDP08E65D1XKSA1 | Electrónica IDP08E65D1XKSA1 |
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