| IPL60R285P7AUMA1 | |
|---|---|
| Número de pieza | IPL60R285P7AUMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON |
| cantidad disponible | 24151 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Hojas de datos | 1.IPL60R285P7AUMA1.pdf2.IPL60R285P7AUMA1.pdf |
| IPL60R285P7AUMA1 Price |
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| Información técnica de IPL60R285P7AUMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IPL60R285P7AUMA1 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON |
| Paquete / caja | PG-VSON-4 | cantidad disponible | 24151 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 190µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-VSON-4 |
| Serie | CoolMOS™ P7 | RDS (Max) @Id, Vgs | 285mOhm @ 3.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 59W (Tc) | Paquete / Cubierta | 4-PowerTSFN |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 761 pF @ 400 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600 V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Número de producto base | IPL60R285 | ||
| Descargar | IPL60R285P7AUMA1 PDF - EN.pdf | ||
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