| IRF6720S2TR1PBF | |
|---|---|
| Número de pieza | IRF6720S2TR1PBF |
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET |
| cantidad disponible | 2671 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Modelo ECAD | |
| Hojas de datos | IRF6720S2TR1PBF.pdf |
| IRF6720S2TR1PBF Price |
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| Información técnica de IRF6720S2TR1PBF | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | IRF6720S2TR1PBF | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
| Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) | Descripción | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET |
| Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 2671 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.35V @ 25µA | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DIRECTFET S1 | Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 8 mOhm @ 11A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric S1 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
| Descargar | IRF6720S2TR1PBF PDF - EN.pdf | ||
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| IRF6720S2TR1PBF Acciones | Precio IRF6720S2TR1PBF | IRF6720S2TR1PBF Electrónica | |||
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