Modelo de Producto

2SC380TE85R

Introducción

Componente transistor especializado para aplicaciones de circuitos electrónicos.

Marca y Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Características

Transistor tipo NPN. Operación a baja tensión adecuada. Producto de ganancia de corriente de ancho de banda alto.

Rendimiento del Producto

Velocidad de conmutación rápida. Capacidad de operación en alta frecuencia. Rendimiento térmico robusto en rangos de temperatura variables.

Especificaciones Técnicas

Tensión Colector-Emisor (VCEO): Especificado por la hoja de datos. Tensión Colector-Base (VCBO): Especificado por la hoja de datos. Tensión Emisor-Base (VEBO): Especificado por la hoja de datos. Corriente de Colector (IC): Especificado por la hoja de datos. Disipación de Potencia (Pd): Especificado por la hoja de datos. Ganancia de Corriente DC (hFE): Especificado por la hoja de datos.

Dimensiones, Forma y Empaque

Paquete SOT23. Paquete compacto de montaje en superficie. Tamaño y peso del paquete: Especificado por las dimensiones estándar SOT23.

Calidad y Fiabilidad

Altos estándares de fabricación. Medidas de control de calidad rigurosas. Rendimiento electrónico consistente.

Ventajas del Producto

Baja pérdida de potencia. Alta eficiencia. Adecuado para montaje en PCB de alta densidad.

Competitividad del Producto

Ampliamente reconocido y aceptado en la industria. Precios competitivos. Rendimiento ajustado a los estándares de la industria.

Compatibilidad

Compatible con varios circuitos digitales y analógicos. Intercambiable con componentes en paquetes equivalentes. Adecuado para procesos de ensamblaje automatizado de PCB.

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumplimiento de RoHS. Cumple con las especificaciones estándar de la industria para ICs especializados.

Duración y Sostenibilidad

Larga vida operativa. Diseñado para operación continua o intermitente durante una vida útil especificada. Materiales reciclables en cumplimiento con las regulaciones de desechos electrónicos.

Campos de Aplicación Real

Utilizado en electrónica de consumo. Adecuado para circuitos de gestión de energía. Aplicado en amplificación de señales para dispositivos de comunicación.

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