| SISS98DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Número de pieza | SISS98DN-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK |
| cantidad disponible | 6300 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
| Hojas de datos | SISS98DN-T1-GE3.pdf |
| SISS98DN-T1-GE3 Price |
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| Información técnica de SISS98DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de pieza del fabricante | SISS98DN-T1-GE3 | Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Fabricante | Vishay / Siliconix | Descripción | MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8 | cantidad disponible | 6300 pcs |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | ThunderFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 105mOhm @ 7A, 10V |
| Estado del producto | Active | La disipación de energía (máximo) | 57W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8 | Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 608 pF @ 100 V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14 nC @ 7.5 V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 14.1A (Tc) | Número de producto base | SISS98 |
| Descargar | SISS98DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
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| SISS98DN-T1-GE3 Acciones | Precio SISS98DN-T1-GE3 | SISS98DN-T1-GE3 Electrónica | |||
| Componentes SISS98DN-T1-GE3 | Inventario SISS98DN-T1-GE3 | SISS98DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Proveedor SISS98DN-T1-GE3 | Orden SISS98DN-T1-GE3 en línea | Consulta SISS98DN-T1-GE3 | |||
| Imagen SISS98DN-T1-GE3 | SISS98DN-T1-GE3 Picture | SISS98DN-T1-GE3 PDF | |||
| Hoja de datos SISS98DN-T1-GE3 | Descargar la hoja de datos de SISS98DN-T1-GE3 | Fabricante Vishay / Siliconix | |||
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