DMN3009SFGQ-13 | |
---|---|
Número de pieza | DMN3009SFGQ-13 |
Fabricante | Diodes Incorporated |
Descripción | MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8 |
cantidad disponible | 3043 pcs new original in stock. Solicitar Stock y Presupuesto |
Modelo ECAD | |
Hojas de datos | DMN3009SFGQ-13.pdf |
DMN3009SFGQ-13 Price |
Solicitar precio y tiempo de entrega en línea or Email us: Info@ariat-tech.com |
Información técnica de DMN3009SFGQ-13 | |||
---|---|---|---|
Número de pieza del fabricante | DMN3009SFGQ-13 | Categoría | Productos Semiconductores Discretos |
Fabricante | Diodes Incorporated | Descripción | MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8 |
Paquete / caja | Tape & Reel (TR) | cantidad disponible | 3043 pcs |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PowerDI3333-8 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | RDS (Max) @Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 900mW (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 45A (Tc) |
Descargar | DMN3009SFGQ-13 PDF - EN.pdf |
DMN3009SFGQ-13 Acciones | Precio DMN3009SFGQ-13 | DMN3009SFGQ-13 Electrónica | |||
Componentes DMN3009SFGQ-13 | Inventario DMN3009SFGQ-13 | DMN3009SFGQ-13 Digikey | |||
Proveedor DMN3009SFGQ-13 | Orden DMN3009SFGQ-13 en línea | Consulta DMN3009SFGQ-13 | |||
Imagen DMN3009SFGQ-13 | DMN3009SFGQ-13 Picture | DMN3009SFGQ-13 PDF | |||
Hoja de datos DMN3009SFGQ-13 | Descargar la hoja de datos de DMN3009SFGQ-13 | Fabricante Diodes Incorporated |
Partes relacionadas para DMN3009SFGQ-13 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Imagen | Número de pieza | Descripción | Fabricante | Consigue una cotización | |
DMN3009SFGQ-7 | MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009SK3-13 | MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252 | Diodes Incorporated | |||
DMN3008SFGQ-13 | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Diodes Incorporated | |||
DMN3010LFG | DMN3010LFG DIODES | DIODES | |||
DMN3009SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009LK3-13 | DMN3009LK3-13 DIODES | DIODES | |||
DMN3009LFV-7 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | Diodes Incorporated | |||
DMN3010LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | Diodes Incorporated | |||
DMN3008SFGQ-7 | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | Diodes Incorporated | |||
DMN3009LFVW-7 | MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009LFVW-13 | MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009LFV-13 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009SK3 | DMN3009SK3 DIODES | DIODES | |||
DMN3009SFG | DMN3009SFG TO-252 | TO-252 | |||
DMN3010LK3 | DMN3010LK3 DIODES | DIODES | |||
DMN3010LFG-13 | MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009SSS | DIODES SOP-8 | DIODES | |||
DMN3009SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 | Diodes Incorporated | |||
DMN3009SSS-13 | DIODES SOP8 | DIODES | |||
DMN3010LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI | Diodes Incorporated |
Noticias
MásA medida que avanza la tecnología y la edad de información llega, las redes ópticas, un método de transmisión de datos eficiente y confiable, est...
El hogar de IT informó el 16 de abril que, según el "Informe del mercado global de equipos de semiconductores" publicado recientemente por la Organi...
El sindicato sueco si Metall anunció el 10 de abril que la huelga de Tesla Mechanics es una de las disputas laborales más largas del país, y contin...
Recientemente, los principales fabricantes de almacenamiento como Micron, Samsung y Western Digital han anunciado aumentos de precios.Los expertos de ...
En el aire, la fracción de volumen normal del contenido de oxígeno es de aproximadamente el 20.9%, pero cuando el contenido de oxígeno cae por deba...
nuevos productos
MásSensor fotoeléctrico de la serie PD30 Los sensores fotoeléctricos en miniatura de Carlo Gavazzi so...
Kit de evaluación XC112 / XR112 para el radar coherente pulsado A111 Kit de evaluación XC112 y XR1...
Servo Drives y motores de la serie MINAS A6 La familia MINAS A6 de Panasonic asegura un funcionamien...
Tablero de conductor LED ultravioleta Placa de controlador UV LED de RayVio para las series XE y XP1...
Prueba industrial y extendida DDR SDRAM Los dispositivos SDRAM DDR de Insignis garantizan el funcion...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AÑADIR: Salón 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.